Gotmic是业界知名的毫米波芯片供应商，专注于40-170GHz的毫米波芯片设计，早在2008年就发布了全世界第一款GaAs 60GHz多功能芯片。

目前产品有多功能芯片，功率放大器，倍频器，混频器，衰减器开关，检波器等。主要应用包括：毫米波通信，主动式、被动式安检成像，机场跑道异物检测，毫米波测试测量，毫米波防撞系统，军事国防等。

相比较SiGe/CMOS等工艺，基于三五族材料的GaAs/GaN工艺具有更高的输出功率、更高的线性度和更佳的噪声系数， 更适合用在5G通信的毫米波数据回传。

图1：毫米波数据回传

1.    Tx EVB套件

EVB-gTSC0020， RF：52-72GHz,  LO：9-11GHz，IF：DC-12GHz

EVB-gTSC0023， RF: 71-86GHz,  LO:11.8-14.3GHz，IF:DC-12GHz

图2：Tx框图和实物图

Tx多功能芯片具有完整的发射链路功能，包括25dB的增益可调范围VGA，6倍频器Multiplier，IQ混频器和驱动放大器MPA，具有高输出功率/高线性度等特点。EVB的IF中频连接头SMA,  LO也是SMA连接头，V波段WR-15标准波导接口, E波段采用WR-12标准波导接口。

EVB评估板套件，段覆盖V/E波段，21dB变频增益，25dB增益可调；

V波段：P1=+20dBm, OIP3=+26dBm；

E波段：P1=+16dBm，OIP3=+26dBm。

2.    RX EVB套件

EVB-gRSC0016: 55-66GHz

EVB-gRSC0012/0014: 71-76GHz

EVB-gRSC0013/0015: 81-86GHz

图3：Rx框图和实物图

接收Rx多功能芯片，内部集成了低噪声放大器、IQ混频器和本振X6倍频器，可采用零中频方案。低噪声放大器具有高增益、低噪声系数和高线性度等特点，可以支持64QAM以上高阶调制。混频器采用IQ差分结构，抗干扰性强，可以抑制镜像干扰，同时具有高线性度、低插损特点。6倍频器在整个E波段具有很低的谐波分量和优秀的平坦度，大大简化了LO链路结构。

EVB的IF中频连接头SMA,  LO也是SMA连接头，V波段WR-15标准波导接口, E波段采用WR-12标准波导接口。

指标特点：高集成度，宽中频IF:DC-12GHz，高变频增益，低噪声系数。

V BAND NF=4dB

E BAND NF=6dB

图4：EVB专用电源板套件

3.    EVB测试数据

利用谐波混频器，测试Tx EVB的发射功率指标，在125MHz带宽实现非常好的平坦度和邻近信道比（ACPR）。

图5：频谱分析仪测试TX EVB , BW=125MHz

Tx和Rx EVB加modem信号联调测试，中间利用手动可调、精确可读衰减器模拟实际传输过程中的衰减。

图6：64QAM EVM测试

图7：128QAM EVB测试

据Gotmic中国区总代理，上海馥莱电子有限公司总经理王明福先生介绍，Gotmic正在积极研发下一代更好指标的多功能芯片，加大增益控制范围，提供线性度，改善SNR，目标最高支持到QAM 1024。