上海，2017年9月28日——中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981），世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆制造企业，与中兴微电子，全球领先的综合通信芯片提供商，今日共同发布中国大陆首颗自主设计并制造的基于蜂窝的窄带物联网（NB-IoT）商用芯片RoseFinch7100。该芯片基于中芯国际55纳米超低功耗+射频+嵌入式闪存（55nm ULP+RF+eFlash）工艺平台制造，可广泛应用于无线表计、共享单车、智慧家电、智慧城市、智慧农业等多个物联网行业和领域。

中芯国际55nm ULP+RF+eFlash工艺是专门针对超低功耗物联网应用开发的技术平台，基于稳定成熟的55纳米逻辑及混合信号工艺，通过工艺改进和器件性能提升，将核心工作电压降低30%，动态功耗降低45%，静态功耗降低70%，SRAM 漏电大幅降低，并兼容射频工艺、嵌入式闪存工艺，以及配备完整的IP解决方案。相比其它工艺节点，中芯国际55nm ULP+RF+eFlash工艺能更好地平衡NB-IoT对于低待机功耗和小封装尺寸的严苛要求，是系统级低功耗物联网芯片设计的可靠平台。

基于中芯国际55纳米完整的超低功耗工艺技术平台，以及中兴微电子强大的设计能力，此次商用的NB-IoT系统级芯片Rose Finch7100专为低功耗广域物联网而设计，睡眠功耗2uA，在每日收发一次的条件下睡眠功耗占比为16%；此外Rose Finch7100为单芯片设计，外围极简，支持R14全频段，拥有云芯一体全局安全性能，以及开放的应用架构。

“很高兴此次能够与中兴微电子密切合作，共同推进NB-IoT芯片在中国大陆的自主设计、制造以及商业化进程。这一成果填补了中国市场的空白，也符合中芯国际的物联网技术发展战略。”中芯国际全球销售及市场执行副总裁Mike Rekuc表示，“中芯国际55纳米技术平台集成了超低功耗、射频以及嵌入式闪存工艺，因此特别适用于NB-IoT及其他物联网技术的芯片产品，能够很好地满足客户对功耗及性能的需求。”

“中芯国际的强大制造能力有效保障了中兴微电子新一代物联网NB-IoT芯片RoseFinch7100 按期商用，从测试的情况看，芯片的功能与性能达到了预期要求。在睡眠功耗、截止电压和外围接口数量等与物联网应用关联的核心指标上，都在业界处于领先水平，低成本低功耗优势明显。”中兴微电子副总经理龙志军表示，“该芯片将进一步掀起物联网行业的深度变革。同步发售的将还有数个行业合作伙伴的首款NB-IoT商用产品。该款芯片处于业界第一阵营，商用时间对标中国三大运营商的商用路演时间，有效支撑厂家卡位产品上市的最佳时间窗。”