基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造，助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效

中国北京，2022 年 5 月 6日 ——设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC™ 晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市场不断增长的需求。

首批 200mm SmartSiC™ 衬底诞生于 Soitec 与 CEA-Leti 合作的衬底创新中心的先进试验线，该中心位于格勒诺布尔。该批 200mm SmartSiC 衬底将会在关键客户中进行首轮验证，展示其质量及性能。

Soitec 于 2022 年 3 月在法国贝宁启动了新晶圆厂贝宁 4 号 (Bernin 4) 的建设，用于生产 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™ 晶圆，贝宁 4 号预计将于 2023 年下半年投入运营。

Soitec 独特的 SmartSiC™ 技术能够将极薄的高质量碳化硅层键合到电阻率极低的多晶碳化硅晶圆上，从而显著提高电力电子设备的性能与电动汽车的能源效率。

Soitec 首席技术官 Christophe Maleville 表示：“Soitec 的 SmartSiC™ 衬底将在新能源电动汽车中起到关键性作用。凭借独特的先进技术，我们致力于研发尖端的优化衬底，助力汽车和工业市场的电力电子设备开辟新前景。本次在碳化硅衬底系列中增加 200mm SmartSiC™ 晶圆，进一步加强了我们产品组合的差异化，并在产品质量、可靠性、体积和能效等多方面满足客户多样化的需求。200mm SmartSiC™ 晶圆是我们 SmartSiC™ 技术开发和部署的一座重要里程碑，它巩固了 Soitec 在行业内的技术领先地位，并强化了我们不断创新、推出新一代晶圆技术的能力。”